技术优势
晶体利用率高，成本低 品质达到P-MOS级
采用PVT长晶法
籽晶粘结成功率接近100%
平均生长速度0.13-0.16mm/h
长晶良率高于行业水平
加工良率达到90%
有效的降低了单片成本。
SiC 晶锭一致性非常优秀
晶片表面粗糙度0.075纳米
8英寸导电型碳化硅衬底 新闻中心
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8英寸导电型碳化硅衬底
详细信息 技术优势 晶体利用率高，成本低 品质达到P-MOS级 采用PVT长晶法 籽晶粘结成功率接近100% 平均生长速度0.13-0.16mm/h 长晶良率高于行业水平 加工良率达到90% 有效的降低了单片成本。 SiC 晶锭一致性非常优秀 晶片表面粗糙度0.075纳米 |