衬底参数
掺杂：Fe
晶面 ：（010）
双晶摇摆半高宽：≤350“
尺寸：5mm×5mm
尺寸偏差：<±0.3mm
厚度偏差：<±0.05mm
产品参数
外延片参数
第1层厚度： 250-350nm
第2层厚度： 200±20nm
第2层载流子浓度：1~3×1017cm-3
衬底参数
掺杂：Fe
晶面 ：（010）
双晶摇摆半高宽：≤350“
尺寸：5mm×5mm
尺寸偏差：<±0.3mm
厚度偏差：<±0.05mm
产品外形示意图
以β-Ga2O3单晶为基础材料的功率器件具有更高的击穿电压与更低的导通电阻，从而拥有更低的导通损耗和更高的功率转换效率，在功率电子器件方面具有极大的应用潜力。典型的应用领域包括：电动汽车、光伏逆变器、高铁输电、军用电磁轨道炮、电磁弹射、全电舰艇推进等；除此之外，氧化镓由于低成本及与GaN的低失配的特性，还可用于GaN材料的外延衬底，GaN及HEMT具有功率密度高、体积小，可工作在40GHz等优点，是5G基站攻略放大器的**材料，随着5G行业的迅速发展，也将带动氧化镓单晶衬底产业的迅速发展。