晶片产品参数
电学参数
UID：1×1016~5×1017 cm-3；Sn：≥1×1018 cm-3；Fe：绝缘≥1×1010 Ω·cm
晶面：(100)
双晶摇摆半高宽：≤150”
位错密度：<1×105 cm-2
尺寸：10 mm×10.5 mm×0.5 mm
参考边：长边为[010]方向
加工指标
晶面偏差：<±0.5°；厚度: 0.5 mm±0.05 mm；表面抛光：单面抛光；表面粗糙度：抛光面 Ra<0.5 nm
产品外形示意图
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氧化镓衬底片
详细信息 晶片产品参数 电学参数 UID：1×1016~5×1017 cm-3；Sn：≥1×1018 cm-3；Fe：绝缘≥1×1010 Ω·cm 晶面：(100) 双晶摇摆半高宽：≤150” 位错密度：<1×105 cm-2 尺寸：10 mm×10.5 mm×0.5 mm 参考边：长边为[010]方向 加工指标 晶面偏差：<±0.5°；厚度: 0.5 mm±0.05 mm；表面抛光：单面抛光；表面粗糙度：抛光面 Ra<0.5 nm 产品外形示意图 |