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杭州富加镓业科技有限公司成立于2019年12月31日,是杭州光学精密机械研究所注册成立的**家“硬科技”企业,公司以“让世界用上好材料”为愿景,开展宽禁带半导体氧化镓材料的产业化工作,主要从事氧化镓单晶材料生长、氧化镓衬底及外延片研发、生产和销售工作。产品主要应用于功率器件、微波射频及光电探测等领域。公司专注于宽禁带半导体材料研发,公司核心创始人具有剑桥大学博士等材料领域的深厚背景,团队成员主要来自业内资深人才,研发人员中硕士以上比例达到80%;公司拥有多台大尺寸导模法晶体生长炉、多气氛晶体退火炉、高精密抛光机等仪器设备,为公司的发展提供了基础支撑和持续创新动力。公司研制的氧化镓单晶材料,是继Si、SiC及GaN后的第四代宽禁带半导体材料,技术团队是我国*早从事氧化镓晶体生长团队之一,从事氧化镓单晶材料设计、模拟仿真、生长及性能表征等工作,形成了较鲜明的特色和优势。相关研究已得到装发部预研基金、共用技术、国家自然科学基金、上海市科技攻关重点项目等的大力支持,累计获得资助近2000万元。以β-Ga2O3单晶为基础材料的功率器件具有更高的击穿电压与更低的导通电阻,从而拥有更低的导通损耗和更高的功率转换效率,在功率电子... [详细介绍]
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