产品特点
可生长8英寸碳化硅晶体
腔体内壁抛光处理，减少附着力，实现高真空
更精准的控压技术，长晶工艺压力波动<5Pa
多温区设计，方便调节轴向和径向温度场
坩埚轴冷却水流量可精确控制，温度场更稳定
配备坩埚升降和旋转功能，方便厚膜晶体生长温度场控制
可选配坩埚拆卸绞盘和平台，拆炉方便、安全
自主开发的控制系统，丰富的公式编辑界面，操作权限分级，可远程控制
技术参数
腔体内部尺寸Φ850×800mm总加热功率55kW**温度2400℃坩埚轴升降速度加工速度：0.01-0.5mm/h
快进速度：6-300mm/min极限真空1.4E-4Pa压力控制精度±0.5％电源接口3P 380VAC，95kVA气源Ar、He、N2，压力＞0.2MPa
压缩空气、压力0.4-0.6MPa冷却水圧力0.3-0.5MPa
流量150L/min尺寸2300×2000×3000mm（不包括坩埚拆卸绞车和平台）
3400×2000×3000mm（包括坩埚拆卸绞盘和平台）重量3900kg