■ 常温型铟镓砷探测器（InGaAs）
———常温型近红外探测器，波长范围：0.8-1.7μm
■ TE制冷型铟镓砷探测器（InGaAs）
——TE制冷型近红外探测器，波长范围：0.8-2.6μm
TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设计，其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600，均采用进口二级TE制冷铟镓砷探测元件。
技术参数：
■ 常温型铟镓砷探测器（InGaAs）
———常温型近红外探测器，波长范围：0.8-1.7μm
三种常温型铟镓砷探测器DInGaAs1600/ DInGaAs1650/ DInGaAs1700具有相同的外观设计，其中：
◆ DInGaAs1600型内装国产小面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图1）
◆ DInGaAs1650型内装国产大面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图2）
◆ DInGaAs1700型内装进口大面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图3）
主要特点：
■ 常温型铟镓砷探测器（InGaAs）
———常温型近红外探测器，波长范围：0.8-1.7μm
■ TE制冷型铟镓砷探测器（InGaAs）
——TE制冷型近红外探测器，波长范围：0.8-2.6μm
TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设计，其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600，均采用进口二级TE制冷铟镓砷探测元件，光谱响应曲线参考图如下：
铟镓砷探测器使用建议：
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85)做为前级放大并转换为电压信号；标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度；
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器；
● 制冷型DInGaAs-TE系列铟镓砷探测，在制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）进行降温控制；