JQ-900型区熔单晶生长炉是集机、光、电一体化的大型高可靠性、高精度、高自动化的单晶生长设备，整机性能指标达到同类产品国际**。主要生产6-8英寸大规格区熔单晶硅，单晶长度**可达2500mm, 单晶纯度可达99.99999999%,，其晶片主要用于IGBT芯片、可控硅、红外探测器以及航天航海等尖端科技领域，另外凭其23%的光电转换效率，我们还可以大胆偿试将其用在光伏发电领域。
1. | 主炉室 | 内炉堂直径[mm] | Φ902X1190高 |
2 | 上副室 | 炉膛直径[mm] | Φ500 X1800高 |
3 | 下副室 | 炉膛直径[mm] | Φ500 X2500高 |
4 | 上传动 | 行程[mm] | 2000 |
主轴转速[rpm] | 0-30±1% | ||
主轴直径[mm] | 100 | ||
5 | 下传动 | 主轴行程[mm] | 2600 |
主轴转速[rpm] | 0-30±1% | ||
主轴直径[mm] | 100 | ||
内轴行程[mm] | 340 | ||
6 | 平动组件 | 行程[mm] | ±25 |
7 | 槽路组件 | 行程[mm] | 530 |
8 | 反射环 | 行程[mm] | 50 |
快速移动速度[mm/min] | 20 | ||
9 | 预热环组件 | 行程[mm] | 285 |
快速移动速度[mm/min] | 100 | ||
10 | 制备外形 | 长X宽X高[mm] | 6600X4200X14000 |
11 | 真空系统 | 真空度(mbar) | ≤0.01 |
12 | 气路系统 | 进气压力[Ba] | 5-12（推荐10） |
生长气流量[L/min] | 50 | ||
气体质量 | C57-0305，等级4.8 | ||
13 | 冷却系统 | 进水压力[Ba] | 4-6 |
进水温度[°C] | 12-25 | ||
进水流量[L/min] | 200 | ||
物理清洁度[mm] | 0.38 | ||
14 | 电器 | 电源频率[Hz] | 50或60 |
电压[VAc] | 3X380 | ||
发生器输出功率(kW) | 120KW | ||
控制电源(Hz) | 50或60 | ||
电压[VAc] | 3X380 | ||
功率 | 10KW | ||
进电电源整流滤波 | 有 | ||
控制系统 | 西门子S7-300 | ||
人机界面控制 | Pro-face触摸屏 | ||
CCD监控系统 | 基恩士 | ||
上下传动移动驱动 | Lenze驱动 |