项 目 Item | 要 求 Requirement | |
电学性能 electronic characters | ||
导电类型（type） | P型 (B dopant) | |
电阻率（resistivity）（Ω·cm） | 1.0～3.0 | |
硅锭的少子寿命(minimum lifetime of bricks)（μs） | ≥5（average） | |
氧含量(oxygen)（ppma） | ≤10 | |
碳含量(carbon)（ppma） | ≤16 | |
晶体结构 crystal structure | ||
微晶(micro-grains) | 无（no） | |
表面质量 appearance | ||
硅落、缺口、裂纹、沾污、针孔（chips,V-shape, crack, stain, pinhole） | 无（Not allow） | |
崩边(edge chips)（mm） | L≤ 0.5,W≤ 0.3,no more than 2/wafer | |
线痕（μm） (saw marks) | ≤15 | |
弯曲度/翘曲度(bow/warp)（μm ） | ≤50 | |
尺寸 dimension | ||
边长(side length)（mm） | 156.75±0.25 | |
厚度(center thickness) （μm） | 200 | |
180 | ||
TV（μm） | 200 | ±20 |
180 | ±15 | |
TTV（μm） | 200 | ≤30 |
180 | ≤25 | |
垂直度（verticality ） | 90 o±0.3o | |
包装与储运 package and carriage | ||
包装(package) | 1盒400片；1箱1600片；1托48000片。 | |
400pcs/box，1600pcs/case，48Kpcs/pallet | ||
储存（Storage） | 温度（temperature.）：10℃～40℃ | |
湿度（humidity）：≤70% | ||
规格（mm） | 尺寸Dimension（mm） | |||||
A（Length） | B（Diagonal length） | C（Bevel edge width） | ||||
Max. | Min. | Max. | Min. | Max. | Min. | |
156.75P | 157 | 156.5 | 221.5 | 219.3 | 2 | 0.5 |
注：1.硅片的规格与电池片规格相对应； | ||||||
2.A、B、C分别参见图1。 | ||||||
Notice: 1.The dimension of wafer is related to the cell | ||||||
2.A、B、C refer to Fig. 1 | ||||||
图1 多晶硅片尺寸示意图 | ||||||
Fig1 Sketch map of multi-Si wafer | ||||||