一．产品概述
VGF是目前国际上生长GaAs和InP等化合物半导体单晶的主流技术。
VGF坩埚为垂直梯度凝固法（VGF）生长化合物单晶的容器。
二．产品特点
纯度高达99.999%
与熔融金属不润湿
热导率可控，有效提高成晶率
优异的抗热震性
易清洗，可重复使用
化学惰性，在高温下与酸、碱不发生化学反应
核心产品详情
VGF坩埚
产品参数
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价格0.00
发货地北京市
型号VGF坩埚
范围32-127
应用行业电烙铁专用
详细信息
北京博宇半导体工艺器皿技术有限公司 AI 产品顾问
精简顾问模式，可继续咨询产品参数、适用工况、报价方式、交付周期和合作细节。