本期带来的是一篇PicoFemto原位样品杆在新一代半导体器件研发中的应用，场效应晶体管在半导体行业有着广泛的应用。其中，由压电材料（氧化锌等）作为门控的场效应管在近年获得了广泛关注。本文利用STM-TEM原位样品杆搭载单根氧化锌纳米线，并在TEM中原位操纵、测量和观测。研究表明，当我们使用STM探针对氧化锌纳米线施加2.63%的应力后，该材料的电导率会骤降2个数量级。结合TEM的观测结果我们发现，这种电导率的变化与接触点处肖克力势垒无关，而是源自氧化锌纳米线横向压电潜能带来的载流子损耗。相关研究由日本NIMS、中科院物理所和量子物质合作创新中心共同完成，成果发表在《Nano Energy》上（Nano Energy （2015）13， 233-239）。
泽攸科技的PicoFemto原位样品杆在该研究中稳定而精确地实现了搭载样品、电学测量以及施加应力的任务。
氧化锌纳米线一端被固定在金针上，另一端通过钨针对其施加应力。
理论模型对实验结果的支持
应用器件模型