导语
智能PECVD设备是目前最新型的一款设备，将所有的控制部分集为一体，此款设备是我司在2013年获得专利的设备。可配备PE射频电源，将CVD系统升级为PECVD。当参与反应的气氛进入炉管在射频电源的作用下产生离子体，可使反应更加充分。同时等离子体起增强的作用，从而很大程度上优化实验的工艺条件。
我公司研制的PECVD系统能使整个实验腔体都处于辉光产生区，辉光均匀等效，这种技术很好的解决了传统等离子工作不稳定状态，这样离子化的范围和强度是传统PECVD的百倍，并解决了物料不均匀堆积现象。
1、与传统CVD系统比较，生长温度更低。
2、设备特有的专利技术使得整管辉光均匀等效，均匀生长。
设备特点：
1.薄膜沉积速率高：射频辉光技术，大大的提高了薄膜的沉积速率，沉积速率可达10A/S；
2. 大面积均匀性高：采用了先进的多点射频馈入技术，特殊气路分布和加热技术等，使得薄膜均匀性指标达到8%；
3. 一致性高：用半导体行业的先进设计理念，使得一次沉积的各基片之间偏差低于2%；
4. 工艺稳定性高：高度稳定的设备保证了工艺的连续和稳定。
安徽贝意克设备技术有限公司
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