氮化镓（GaN）是第三代半导体材料中的代表，因其高耐压、高饱和速率等优点，在微波射频和功率电子领域逐渐替代传统的硅基器件，发挥重要作用。埃特曼采用国际**的 Hybrid-MBE 技术，为国内外客户提供高质量、低成本的 GaN 外延片。
射频类：
GaN-on-SiC HEMT
GaN-on-Si HEMT
S/D n+ GaN 二次外延
功率类：
GaN-on-Si HEMT
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氮化镓
详细信息 氮化镓（GaN）是第三代半导体材料中的代表，因其高耐压、高饱和速率等优点，在微波射频和功率电子领域逐渐替代传统的硅基器件，发挥重要作用。埃特曼采用国际**的 Hybrid-MBE 技术，为国内外客户提供高质量、低成本的 GaN 外延片。 射频类： GaN-on-SiC HEMT GaN-on-Si HEMT S/D n+ GaN 二次外延 功率类： GaN-on-Si HEMT |