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详细说明
型号：
4英寸氧化镓衬底片
晶圆产品参数
掺杂：Sn
导电性：n
晶面：(100)
双晶摇摆半高宽：≤250”
载流子浓度：≥1×1018 cm-3
位错密度：<1×105 cm-2
目前参考尺寸：4 inch
参考边：[010]方向
加工指标：晶面偏差：<±1°；直径：100.0 mm±0.5 mm；厚 度： 0.65 mm ± 0.02 mm；单面抛光，Ra<1 nm
产品外形示意图
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