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详细说明
型号：
卧式氧化炉
应用于集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金和烧结等；适用工艺有扩散、氧化、退火、合金。
设备成熟稳定，可靠性高；
恒温区自动调整，串级控制，可准确控制反应管的实际工艺温度。
晶片尺寸：2*—6*；
工艺温度：400℃—1300℃；
恒温区长度：800mm — 1000mm。
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应用于集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金和烧结等；适用工艺有扩散、氧化、退火、合金。
设备成熟稳定，可靠性高；
恒温区自动调整，串级控制，可准确控制反应管的实际工艺温度。
晶片尺寸：2*—6*；
工艺温度：400℃—1300℃；
恒温区长度：800mm — 1000mm。
