SiC外延炉

      1.晶片尺寸：4”～6”；
　　2.**温度：1700℃；
　　3.控温精度：±1℃；
　　4.极限真空：优于3Pa；
　　5.压力稳定性：100~1000mbar；
　　6.反应室漏气率：1E-10Pa·m3/S
　　7.工艺气体：SiH4、C3H8、N2、TMAl ；
　　8.载气：Ar、H2 。

      1.内置式电磁感应加热，升降温速度快
　　2.基片气浮行星旋转运动，温度、外延膜均匀性好
　　3.三层水平层流送气，气流均匀性好
　　4.喷淋头水冷，预反应小
　　5.手套箱装取片 ，反应室内洁净度高