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详细说明
型号：
晶体生长炉 KX360MCZ
晶体生长炉 KX360MCZ
设计优点
1、应用领域:轻掺、磁控;
2、在出现拉晶断棱回熔以及硅料复投等非正常拉晶工艺时，都可从系统中选择相应的自动工序来运行;
3、配置国际**品牌磁场，中心场强可达4000GAUSS，磁场分布均匀，利于生长高品质半导体晶体。
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晶体生长炉 KX360MCZ
设计优点
1、应用领域:轻掺、磁控;
2、在出现拉晶断棱回熔以及硅料复投等非正常拉晶工艺时，都可从系统中选择相应的自动工序来运行;
3、配置国际**品牌磁场，中心场强可达4000GAUSS，磁场分布均匀，利于生长高品质半导体晶体。
