氧化镓衬底片

晶片产品参数

电学参数

UID：1×1016~5×1017 cm-3；Sn：≥1×1018 cm-3；Fe：绝缘≥1×1010 Ω·cm

晶面：(100)

双晶摇摆半高宽：≤150”

位错密度：<1×105 cm-2

尺寸：10 mm×10.5 mm×0.5 mm

参考边：长边为[010]方向

加工指标

晶面偏差：<±0.5°；厚度: 0.5 mm±0.05 mm；表面抛光：单面抛光；表面粗糙度：抛光面 Ra<0.5 nm

产品外形示意图