扩散氧化炉（生产型）

设备特点

●可满足闭管干氧氧化、湿氧氧化、氢氧合成氧化、扩散、退火常压、退火/推进、合金等工艺

●采用高可靠性工控机+PLC模式，对炉温、进退舟、气体流量、阀门进行全自动控制,实现全部工艺过程自动化；

●具有友好的人机界面，用户可以方便地修改工艺控制参数，并可随时显示各种工艺状态；

●具有多种工艺管路，可供用户方便选择；

●具有强大的软件功能，配有故障自诊断软件，可大大节省维修时间；

●恒温区自动调整，串级控制，可准确控制反应管的实际工艺温度；

●具有超温、断偶、热偶短路、工艺气体流量偏差报警和保护功能； 

●可根据用户要求定制产品。

技术指标

●适用晶片尺寸 ：  2~8英寸圆片

●工作温度： 600℃～1300℃； 

●可配工艺管数量：1~4管/台

●恒温区长度及精度：≤±0.5℃/600~800mm （800℃～1300℃），

● 单点温度稳定性：≤±0.5℃℃ /24h （1100℃）； 

●温度斜变能力：**升温速率20℃/min，**降温速率5℃/min； 

应用范围

　　半导体集成电路、先进封装、电力电子（IGBT）、微机械（MEMS）、光伏电池（Photovoltaic）制造等领域，适用2~8英寸工艺尺寸扩散、氧化、退火及合金工艺