简介 ： 1.高生长速率、低缺陷密度。 2.横向纵向生长比率高、孔洞少，可以生长大面积厚膜。 3.单晶生长速率：≥100微米/小时。 4.产品尺寸：2/4/6英寸。
主营： 粉体焙烧炉 半导体行业专用仪器
