LP-CVD多晶 掺杂多晶炉

优势

◆快速的工艺认证，可以极高的提升生产

◆专业的高效电池制造

◆良好的膜厚均匀性，较长的恒温区

◆更大的正常运行时间和更低的成本，良好的服务和支持确保了长期**的生产能力

◆Ivoc:>740mV(钝化后)

主要特点

◆产能:2200~2880pcs/管

◆管数:5管/6管

◆硅片尺寸:182-230mm硅片

◆压力控制:APC控制

◆系统控制:PLC和PC控制基础

◆通讯:Melsec，MES，I/O，SECS-II等

◆自动化集成:用于客户优化和MES控制集成的全自动化解决方案

◆运行时间：97%

硬件规格

◆**温度:800℃

◆温度均匀性:500℃~700℃±0.5℃

◆晶圆装载法:碳化硅悬臂桨

工艺规范

◆膜厚:1000A~3000A

◆厚度均匀性:<5%(片内/片间/批间均匀性)

◆未掺杂多晶硅(硅烷)

◆N型掺杂多晶硅PH3

◆P型掺杂多晶硅B2H6