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详细说明
型号：
12 英寸硅单晶生长炉
技术参数
项目 | 参数 | 单位 | XINHUI |
晶棒长度 | · 2100 | mm | 2100 |
晶棒直径 | · 308 | mm | ≥ 308 |
碳含量 | · < 0.30 | ppma | ＜ 0.10 |
晶体 | · COP ≥ 26nm (no pattern) | % | >85 |
体金属 | · Bulk Metal Cu | atom/cm3 | ≤ 1E11 |
· Bulk Metal Ni | atom/cm3 | ≤ 1E10 | |
· Bulk Metal Fe | atom/cm3 | Ave ≤ 2E9；Max ≤ 1E10 | |
提拉轴与坩埚轴对中偏差 | · 多次开合操作后 | mm | ≤ ± 1 |
· 承载在0-400kg 范围内变化 | mm | ≤ ± 1 | |
液面位置跟踪控制精度 | - | mm | ±0.2 |
晶体直径控制精度 | - | mm | ±2.0 |
投料量（含二次加料） | - | KG | ＞ 400 |
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