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详细说明
型号：
SCG300系列半导体级单晶硅炉
◆ 设备具有高稳定性、高真空度、高可靠性的结构设计；
◆ 配备自主研发的功率控制、锁拉速等生长控制算法；
◆ 热场系统具有高水平微缺陷控制能力；
◆ 配合水冷套、超导磁场及基础工艺包；
◆ 生长晶体可满足COP-FREE硅片指标要求。
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◆ 设备具有高稳定性、高真空度、高可靠性的结构设计；
◆ 配备自主研发的功率控制、锁拉速等生长控制算法；
◆ 热场系统具有高水平微缺陷控制能力；
◆ 配合水冷套、超导磁场及基础工艺包；
◆ 生长晶体可满足COP-FREE硅片指标要求。
