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详细说明
型号:
砷化镓单晶炉
范围:
200
砷化镓中压单晶炉,是在惰性气体环境中,以石墨电阻加热器加热,使半导体材料熔化,用VB法生长无错位单晶的设备。也可采用VGF法或采用VB与VGF法结合的方法实现GaAs单晶生长。
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砷化镓中压单晶炉,是在惰性气体环境中,以石墨电阻加热器加热,使半导体材料熔化,用VB法生长无错位单晶的设备。也可采用VGF法或采用VB与VGF法结合的方法实现GaAs单晶生长。