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详细说明
型号:
集成电路刻蚀用硅材料长晶炉MSIR1050系列
◆ 设备采用坩埚下降法,多温区控温,通过优化气路设计,可有效避免热场和晶体的相互污染;
◆ 自动化程度高,可根据需要定制晶体形状,提高效率和原料的利用率。
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◆ 设备采用坩埚下降法,多温区控温,通过优化气路设计,可有效避免热场和晶体的相互污染;
◆ 自动化程度高,可根据需要定制晶体形状,提高效率和原料的利用率。