氧化镓晶体生长炉

简介：本设备采用硅钼棒作为加热元件，内层采用氧化锆保温材料，外侧采用氧化铝多晶纤维板，**温度1900℃，工作区尺寸约为φ200*240。单工位升降载物，升降速度可调，升降过程中无卡死，无抖动。

特色与优势：（1）加热单元：加热元件采用硅钼棒加热。保温层：氧化锆保温层+优质高纯氧化铝多晶纤维材质。温度稳定，保温性能好。

（2）电控部分可为单独的控制柜，也可以与炉体主架一体化的电控柜，电控柜内安装有断路器、空气开关、功率调整器、继电器、PLC等电器元件；

（3）坩埚放置台采用钣金切割焊接成型，便于坩埚放置稳定不晃动，坩埚放置台通过锁紧装置固定在步进电机作为驱动丝杆转动从而沿导向轴方向上下可移动的支撑平台上；