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详细说明
型号：
QSH-VCF-1400T
范围：
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应用行业：
主要用于煅烧真空或惰性气体保护下的高纯度化合物或扩散半导体晶片，也可用于烘烧或烧结陶瓷材料。
本设备是由石英坩埚（或氧化铝陶瓷坩埚）和不锈钢法兰组成的真空坩埚炉。主要用于煅烧真空或惰性气体保护下的高纯度化合物或扩散半导体晶片，也可用于烘烧或烧结陶瓷材料。
二、真空井式坩埚炉参数说明
型号 | QSH-VCF-1200T | QSH-VCF-1400T | QSH-VCF-1700T |
工作温度 | ＞1200℃ | ＞1400℃ | ＞1700℃ |
加热元件 | 电阻丝 | 硅碳棒 | 硅钼棒 |
热电偶 | K型 | S型 | B型 |
控温方式 | 51段可编程自动控制，PID调节控温精度 | ||
升温速率 | 0-10℃ | 0-20℃ | |
控温精度 | ±1℃ | ||
真空度 | -0.1MPa | ||
炉膛材料 | 氧化铝陶瓷纤维板 | ||
炉壳 | 双层炉壳，风冷结构（炉底安装两个散热风扇），炉壳表面温度低于60度 | ||
额定功率 | 1KW—8KW | ||
常用炉膛尺寸 | Φ240xH220mm；Φ40xH300mm；Φ60xH300mm；Φ80xH300mm；Φ100xH300mm；Φ120xH300mm | ||
三、温控程序曲线示意图（六段为例）：
四、温控程序对应符号及其意义：
提示符 | 输入数据 | 意义 |
C 01 | 0 | 起始温度值 |
t 01 | 60 | 从0~300℃的升值时间为60分钟 |
C 02 | 300 | 个目标温度值 |
t 02 | 10 | 300℃保温时间10分钟 |
C 03 | 300 | 第二个目标温度值 |
t 03 | 240 | 从300~1500℃的升值时间为240分钟 |
C 04 | 1500 | 第三个目标温度值 |
t 04 | 30 | 1500℃恒温时间10分钟 |
C 05 | 1500 | 第四个目标温度值 |
t 05 | 260 | 从1500~200℃的升值时间为260分钟 |
C 06 | 200 | 第五个目标温度值 |
t 06 | －121 | 程序运行结束，自然降温 |
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