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详细说明
型号：
QBT-T
范围：
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双腔体等离子体原子层沉积系统 QBT-T
原子层沉积（Atomic layer deposition)是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应腔体内并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种技术，具有自限性和自饱和。原子层沉积技术主要应用是在各种尺寸和形状的基底上沉积高精度、无针孔、高保形的纳米薄膜。
产品描述
厦门韫茂科技公司的双腔体等离子体原子层沉积系统（QBT-T），设备采用双腔体设计，腔体之间可实现独立控制，双倍产出。腔体分别为PEALD腔室，粉末ALD腔室。由于双腔体双功能的独特设计，使设备可以在平片上实现等离子体ALD的生长工艺以及粉末ALD包覆工艺，设备配有独立控制的300℃完整加热反应腔室系统，保证工艺温度均匀。该系统具有**粉末样品桶、晶圆载盘、全自动温度控制、ALD前驱体源钢瓶、自动温度控制阀、工业级安全控制，以及现场RGA、QCM、臭氧发生器、手套箱、极片架等设计选项。是先进能源材料、催化剂材料、新型纳米材料,半导体领域研究与应用的**研发工具之一。
主要技术参数
| QBT-T 技术参数 Technical Specifications （TiN, ZnO, Al2O3, TiO2等制备） | |
| 腔体 | 双腔体设计（1个硅片PEALD腔室，1个粉末ALD腔室），每个腔体独立控制，双倍产出 |
| 等离子体 Plasma | **3kW RF自匹配电源 |
| **基板尺寸Max Wafer Size | Ф150mm (可定制） |
| 高精准样品加热控制 Wafer Heating | RT-300±1℃ |
| 前驱体 Max Precursor | **可包括3组等离子体反应气体 8组液态或固态反应前驱体, Max 3 Gas and 8 Liquid/Solid Precursors |
| 臭氧发生器Ozone Generator | 可选配，生产效率15g/h |
| 人机界面 HMI | 全自动化人机操作界面 |
| 安全Safety | 工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO |
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