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详细说明
型号：
金刚石单晶
产品规格书
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金刚石多晶 | ||
直径 | 25.4 ± 0.3 mm | 50.8 ± 0.5 mm |
厚度 | 450 ± 30μm | 450 ± 30μm |
生长方式 | MPCVD | |
正面状态 | Polished,Ra＜ 1.0 nm | |
反面状态 | Polished; Grinding | |
热膨胀系数 | 1.3 (10-6K-1) | |
热导率 | 1000-2000W/m.K | |
总厚度偏差TTV | ≤5 mm | ≤10 mm |
边缘去除 | ≤3 mm | |
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产品性能表
金刚石多晶 | |
晶体结构 | 立方晶体 |
禁带宽度(eV) | 5.47eV |
熔点（℃） | 4027℃ |
莫氏硬度(mohs) | 10 |
热导率(W·cm-1·℃-1) | 20W·cm-1·℃-1 |
热膨胀系数(℃-1) | 0.8×10-6 |
晶格常数(nm) | 0.3567 |
电子迁移率（cm-2·V-1·s-1） | 1600 |
击穿电场(MV·cm-1) | 10 |
JFM指数（power） | 5330 |
BFM指数(SW) | 14860 |
BHFM指数(RF) | 1080 |
折射率 | 2.417 |
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