晶圆划片

干激光划片:

1、晶圆开槽:干激光作用是去除划道内部的金属层(金属层会粘连在刀片上,影响切割道质量),然后使用金刚刀片切硅材料部分;

2、晶圆隐切:晶圆划道内改质切割,然后采用裂片的方式再次处理晶圆,但该工艺成熟度不高切割质量不稳定;

3、晶圆全切:主要是热影响导致现阶段不能大规模使用。微射流邀光划片:晶圆开槽、带金属层全切(不受切割道内材料影响),一次性切除晶圆材料,同时保证蓝膜不断,便于下一步转运操作。

目前金刚刀划片技术工艺存在下述工艺瑕疵:

1、粘连(金属衬底等材料会粘连拉丝)；

2、Die strength越薄的wafer速度越慢,厚度25um的wafer的加工速度小于50mm/s,与微射流激光技术刚好相反。