铝碳化硅均热片

原材料: AISiC

成型工艺:模具铸造成型/CNC

尺寸精度:±0.05mm

平面度:<0.05

粗糙度:外观面Ra1.6;粘接面Ra2.0以上

*小设计厚度: 0.3mm

·性能参数:热导率>200(W/mK)25℃℃，线膨胀系数7(CTEppm/C)，密度3.0(g/cm')镀层处理:化学镀暗镍，厚度10-25um

盐雾时间:48hrs

高温考核:270°C30min

应用封装:FPGA/CBGA/CCGA类陶瓷基板封装用散热盖、热沉

适用领域:航空航天，**国防，通信基站等领域

·材料特性:轻质材料，可降低BGA中每个焊球承受的重量;抗弯强度高，在组装过程中可以有效控制翘曲以改善焊接;线膨胀系数与陶瓷基板材料及芯片材料相匹配，有效保证了封装后散热通道，提高了器件的可靠性