4~8英寸碳化硅外延

低缺陷密度控制技术  

技术团队依靠多年的外延工艺经验和现阶段的技术开发，不断优化和迭代自有碳化硅外延技术，同时针对不同厂家的衬底进行开发，在不同厂家的衬底进行的外延生长均能实现低缺陷密度，为器件的可靠性提供有力的保障。

高均匀性外延技术    

技术团队经过一系列的工艺优化和设备改造升级，碳化硅外延片的外延层厚度不均匀性可＜0.5%，外延层载流子浓度不均匀性可＜1.5%。

双激光精准缺陷扫描

已经采用双激光扫描缺陷检测设备，除了精准检测晶体表面的形貌缺陷外，对于材料内部的晶格缺陷也能精确扫描和检测。

预防器件失效技术

除了常规的量测和控制方法外，技术团队增加特殊管控方法，确保碳化硅外延片不会因外延材料质量异常导致器件失效。