|
|||||||||||||||||||||
详细说明
型号：
碳化硅pvt培育的长晶
范围：
W63-W0.5
PVT法长晶
籽晶粘结成功率可以接近100%，平均生长速度0.13-0.16mm/h，晶体利用率更高，更加适合6～8寸晶体的生长，单位晶体成本更低。同时具有高可靠性，热场和工艺调节更便捷，更加适合规模化生产，这些优势在生长大尺寸晶体时尤其明显。
点赞 0举报收藏 0
|
|||||||||||||||||||||
PVT法长晶
籽晶粘结成功率可以接近100%，平均生长速度0.13-0.16mm/h，晶体利用率更高，更加适合6～8寸晶体的生长，单位晶体成本更低。同时具有高可靠性，热场和工艺调节更便捷，更加适合规模化生产，这些优势在生长大尺寸晶体时尤其明显。
