|
|||||||||||||||||||||
详细说明
型号：
Si-G
应用行业：
半导体行业，氮化镓的生长
硅基底CVD石墨烯膜
联系电话：13685******，刘先生
硅片厚度：700微米
硅片表面氧化硅厚度：300nm
石墨烯层数：1层，2层，多层（可选）
石墨烯方阻：300-500（单层石墨烯）
石墨烯单层覆盖率：＞95%
样品照片：
光学显微镜照片：
Raman光谱
参数价格：
量大可打折
存储条件：
建议产品在常温下保存在干燥，低氧（无氧）的容器中，建议一个月内使用完.
点赞 0举报收藏 0
