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详细说明
型号：
CVD铜基底石墨烯薄膜
产品特点
1、单层，晶格缺陷少，接近本征石墨烯；
2、可见光透过率高，导电性良好;
3、加工性好，可以转移在不同的基材上。
特征与优势
CVD铜基底石墨烯薄膜的制备，采用化学气相沉积法，将碳源高温分解沉积在铜基底表面，形成了二维碳原子层。CVD铜基底石墨烯薄膜的单层率高，品质优异，可实现石墨烯大面积生长，且较易转移到其它各种基材上使用。
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产品特点
1、单层，晶格缺陷少，接近本征石墨烯；
2、可见光透过率高，导电性良好;
3、加工性好，可以转移在不同的基材上。
特征与优势
CVD铜基底石墨烯薄膜的制备，采用化学气相沉积法，将碳源高温分解沉积在铜基底表面，形成了二维碳原子层。CVD铜基底石墨烯薄膜的单层率高，品质优异，可实现石墨烯大面积生长，且较易转移到其它各种基材上使用。
