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详细说明
型号：
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范围：
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应用行业：
在微纳光电子器件、新能源、生物成像、药物输运、疾病检测和荧光探针等领域
纯度（Purity）：＞99%
层数（Layer number）：<5
厚度（Thickness）：0.8-5.2nm
粒径（Diameter）：0.8-3.2μm
P含量（P Content）：2.0-5.4wt.%
1.EDS of Phosphor Doped Graphene
Element | Wt% | At% |
CK | 76.08 | 81.84 |
OK | 21.24 | 17.15 |
PK | 02.35 | 00.98 |
Matrix | Correction | ZAF |
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