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详细说明
型号：
硒化铟晶体-InSe-γ phase
范围：
0-25，15-53，45-105，50-150um
产品技术参数:
| 产品名称 | 硒化铟晶体-InSe-γ phase |
| 货号 | RDB-DJ-051 |
| 性质 | 半导体 |
产品规格：
>25 mm2
>35 mm2
>50mm2
硒化铟晶体-InSe-γ phase照片:
晶体截面SEM: XRD:
Raman: 块体InSe晶体PL光谱:
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