产品介绍：
用于6吋&8 吋的 SiC 晶体生长，装载 SiC粉料和支撑反应腔室
适用机型：
第三代半导体 SiC 长晶炉
产品参数：
基材：等静压石墨(纯度>6N)
特点：纯度高，高导热，传热均匀性好
主营： 石墨 粉体焙烧炉
